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替换硅CMOS时代
  发布者:petroyang 发布时间:2015-3-29 阅读:1177

中国科学报26日报道,中国科学院上海微系统与信息技术研究所在锗基石墨烯应用研究中取得新进展。信息功能材料国家重点实验室SOI材料课题组在国际上首次采用单侧氟化石墨烯作为锗基MOSFET的栅介质/沟道界面钝化层,调制界面特性,有望解决未来微电子技术进入非硅CMOS时代,锗材料替代硅材料所面临的栅介质/沟道界面不稳定的难题。

研究表明,氟化石墨烯能够有效抑制界面互扩散行为,尤其是抑制氧原子向锗基衬底的扩散,避免不稳定氧化物以及界面缺陷所导致的电荷陷阱的形成。MOS器件性能得到很大提升,栅极漏电流能够降低4-5个数量级并能够将等效氧化层厚度降低至1nm以下。研究工作将为锗材料替代硅材料,推动微电子技术进入非硅CMOS时代,继续延续摩尔定律发展提供了解决方案。 

中国科学报16日曾报道,中科院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室唐述杰等研究人员,通过引入气态催化剂的方法,在国际上首次实现石墨烯单晶在六角氮化硼表面的高取向快速生长。在六角氮化硼这类电介质表面直接生长石墨烯单晶一直是一项巨大难题。 

昨石墨烯板块小幅冲高回落,收盘跌0.13%,该板块近3个月加速型连阳,已进入过载博弈区域,4月震荡概率上升,投资者宜注意惯性高点和仓位控制。资金数方面:主力净流入悦达投资3622万,净流入维科精华577万,净流出方大碳素5995万,净流出中钢国际1460万,合计逾1.1亿元。
 

 
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